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描述: NOR Flash Parallel 3.3V 128Mbit 16M/8M x 8Bit/16Bit 90ns 64Pin Fortified BGA T/R
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封 装: BGA-64
货 期:
包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/位数: 8, 16

技术参数/存取时间(Max): 90 ns

技术参数/工作温度(Max): 85 ℃

技术参数/工作温度(Min): 0 ℃

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 64

封装参数/封装: BGA-64

外形尺寸/封装: BGA-64

其他/产品生命周期: Unknown

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
S29GL128P90FAIR10 S29GL128P90FAIR10 Spansion (飞索半导体) 功能相似 FBGA-64
闪存, MirrorBit架构, 并行NOR, 128 Mbit, 16M x 8位, CFI, 并行, FBGA, 64 引脚
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S29GL128P90FAIR10 S29GL128P90FAIR10 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) 功能相似 BGA
闪存, MirrorBit架构, 并行NOR, 128 Mbit, 16M x 8位, CFI, 并行, FBGA, 64 引脚
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S29GL128P90FFCR10 S29GL128P90FFCR10 Spansion (飞索半导体) 完全替代 LBGA-64
NOR Flash Parallel 3.3V 128Mbit 16M/8M x 8Bit/16Bit 90ns 64Pin Fortified BGA Tray
PDF
S29GL128P90FFCR20 S29GL128P90FFCR20 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) 完全替代 BGA-64
NOR Flash Parallel 3.3V 128Mbit 16M/8M x 8Bit/16Bit 90ns 64Pin Fortified BGA Tray
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S29GL128P90FFIR10 S29GL128P90FFIR10 AMD (超微半导体) 功能相似
并联 NOR 闪存存储器,Cypress Semiconductor 高性能 快速随机访问和高带宽 ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
S29GL128P90FFIR10 S29GL128P90FFIR10 SPANSION 功能相似 BGA
并联 NOR 闪存存储器,Cypress Semiconductor 高性能 快速随机访问和高带宽 ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
S29GL128P90FFIR10 S29GL128P90FFIR10 Spansion (飞索半导体) 功能相似 BGA-64
并联 NOR 闪存存储器,Cypress Semiconductor 高性能 快速随机访问和高带宽 ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
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S29GL128P90FFIR10 S29GL128P90FFIR10 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) 功能相似 BGA-64
并联 NOR 闪存存储器,Cypress Semiconductor 高性能 快速随机访问和高带宽 ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
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S29GL128P90FFIR20 S29GL128P90FFIR20 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) 功能相似 BGA-64
S29GL128P 系列 128 Mb (16M x 8) 3 V 90 ns 闪存-NOR 存储器 - BGA-64
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S29GL128P90FFIR20 S29GL128P90FFIR20 AMD (超微半导体) 功能相似
S29GL128P 系列 128 Mb (16M x 8) 3 V 90 ns 闪存-NOR 存储器 - BGA-64

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