技术参数/针脚数: 8
技术参数/时钟频率: 133 MHz
技术参数/存取时间(Max): 8 ns
技术参数/工作温度(Max): 85 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
技术参数/电源电压: 2.7V ~ 3.6V
技术参数/电源电压(Max): 3.6 V
技术参数/电源电压(Min): 2.7 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: WSON-8
外形尺寸/封装: WSON-8
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 85℃
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
S25FL256SAGNFI000
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AMD (超微半导体) | 完全替代 |
SPI NOR 闪存存储器，Cypress Semiconductor 高性能 低引脚计数四路 SPI（串行外围设备接口） ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
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S25FL256SAGNFI000
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Spansion (飞索半导体) | 完全替代 | WSON-8 |
SPI NOR 闪存存储器，Cypress Semiconductor 高性能 低引脚计数四路 SPI（串行外围设备接口） ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
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S25FL256SAGNFI000
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Cypress Semiconductor (赛普拉斯) | 完全替代 | WSON-8 |
SPI NOR 闪存存储器，Cypress Semiconductor 高性能 低引脚计数四路 SPI（串行外围设备接口） ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
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S25FL256SAGNFI001
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Spansion (飞索半导体) | 完全替代 | WSON |
FL-S 系列 256 M (32 M x 8) 3.6 V MirrorBit® 闪存 非易失性 存储器 - WSON-8
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