技术参数/针脚数: 2
技术参数/正向电压: 1.1 V
技术参数/耗散功率: 1.4 W
技术参数/反向恢复时间: 1.8 µs
技术参数/正向电流: 1 A
技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）: 30 A
技术参数/正向电压(Max): 1.1 V
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: DO-214AC
外形尺寸/长度: 4.75 mm
外形尺寸/宽度: 2.95 mm
外形尺寸/高度: 2.2 mm
外形尺寸/封装: DO-214AC
物理参数/重量: 64.0 mg
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
其他/制造应用: Industrial
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
海关信息/HTS代码: 8541100080
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
ES1A
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | DO-214AC |
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES1A 快速/超快二极管, 单, 50 V, 1 A, 920 mV, 35 ns, 30 A
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PANJIT Touch Screens | 类似代替 | DO-214AC |
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES1A 快速/超快二极管, 单, 50 V, 1 A, 920 mV, 35 ns, 30 A
|
||
ES1A
|
VISHAY (威世) | 类似代替 | DO-214AC |
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES1A 快速/超快二极管, 单, 50 V, 1 A, 920 mV, 35 ns, 30 A
|
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|
|
Surge Components | 类似代替 | DO-214AC |
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES1A 快速/超快二极管, 单, 50 V, 1 A, 920 mV, 35 ns, 30 A
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|
|
Taitron | 类似代替 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES1A 快速/超快二极管, 单, 50 V, 1 A, 920 mV, 35 ns, 30 A
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ES1A
|
Diotec Semiconductor | 类似代替 | SMA |
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES1A 快速/超快二极管, 单, 50 V, 1 A, 920 mV, 35 ns, 30 A
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Sanken Electric (三垦电气) | 类似代替 | AXIAL DIODE |
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES1A 快速/超快二极管, 单, 50 V, 1 A, 920 mV, 35 ns, 30 A
|
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ES1A
|
Transys Electronics | 类似代替 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES1A 快速/超快二极管, 单, 50 V, 1 A, 920 mV, 35 ns, 30 A
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|
ES1A
|
Won-Top Electronics | 类似代替 | DO-214AC |
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES1A 快速/超快二极管, 单, 50 V, 1 A, 920 mV, 35 ns, 30 A
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|
ES1A
|
Micro Commercial Components (美微科) | 类似代替 | DO-214AC |
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES1A 快速/超快二极管, 单, 50 V, 1 A, 920 mV, 35 ns, 30 A
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||
ES1B-E3/61T
|
VISHAY (威世) | 类似代替 | DO-214AC |
VISHAY ES1B-E3/61T 快速二极管, 1A, 100V, DO-214AC
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ES1D-E3/61T
|
Vishay Intertechnology | 类似代替 |
VISHAY ES1D-E3/61T 快速/超快二极管, 单, 200 V, 1 A, 920 mV, 25 ns, 30 A
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ES1D-E3/61T
|
LiteOn (光宝) | 类似代替 | SMA |
VISHAY ES1D-E3/61T 快速/超快二极管, 单, 200 V, 1 A, 920 mV, 25 ns, 30 A
|
||
ES1D-E3/61T
|
General Instrument | 类似代替 |
VISHAY ES1D-E3/61T 快速/超快二极管, 单, 200 V, 1 A, 920 mV, 25 ns, 30 A
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S1A
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Taitron | 完全替代 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR S1A 标准恢复二极管, 单, 50 V, 1 A, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
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Diodes (美台) | 完全替代 | SMA |
TAIWAN SEMICONDUCTOR S1A 标准恢复二极管, 单, 50 V, 1 A, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
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|
Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | SMA |
TAIWAN SEMICONDUCTOR S1A 标准恢复二极管, 单, 50 V, 1 A, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
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||
S1A
|
Diotec Semiconductor | 完全替代 | SMA |
TAIWAN SEMICONDUCTOR S1A 标准恢复二极管, 单, 50 V, 1 A, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
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S1B-E3/61T
|
LiteOn (光宝) | 类似代替 | SMA |
VISHAY S1B-E3/61T 标准二极管, 1A, 100V, DO-214AC, 整卷
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S1B-E3/61T
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | DO-214AC |
VISHAY S1B-E3/61T 标准二极管, 1A, 100V, DO-214AC, 整卷
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EIC | 完全替代 | SMA |
TAIWAN SEMICONDUCTOR S1J 标准功率二极管, 单, 600 V, 1 A, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
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S1J
|
Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 完全替代 | DO-214AC |
TAIWAN SEMICONDUCTOR S1J 标准功率二极管, 单, 600 V, 1 A, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
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S1J
|
DC Components | 完全替代 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR S1J 标准功率二极管, 单, 600 V, 1 A, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
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S1J
|
Multicomp | 完全替代 | DO-214AC |
TAIWAN SEMICONDUCTOR S1J 标准功率二极管, 单, 600 V, 1 A, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
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S1J
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | DO-214AC |
TAIWAN SEMICONDUCTOR S1J 标准功率二极管, 单, 600 V, 1 A, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
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Kingtronics | 完全替代 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR S1J 标准功率二极管, 单, 600 V, 1 A, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
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