技术参数/电源电压(DC): 5.00 V, 5.50 V (max)
技术参数/时钟频率: 100 GHz
技术参数/存取时间: 100 ns
技术参数/内存容量: 2000000 B
技术参数/电源电压: 4.5V ~ 5.5V
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 40
封装参数/封装: DIP-40
外形尺寸/封装: DIP-40
物理参数/工作温度: 0℃ ~ 70℃ (TA)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Maxim Integrated (美信) | 功能相似 | DIP-40 |
IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP
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Dallas Semiconductor (达拉斯半导体) | 功能相似 | DIP |
IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP
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Maxim Integrated (美信) | 功能相似 | DMA |
IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP
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