技术参数/额定电压(DC): -20.0 V
技术参数/额定电流: -2.50 A
技术参数/通道数: 1
技术参数/漏源极电阻: 0.14 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 1.25 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V
技术参数/漏源击穿电压: 20 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 2.50 A
技术参数/上升时间: 20 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 580pF @10V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 1.25 W
技术参数/下降时间: 20 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): 55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1.25W (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: TSOT-23-6
外形尺寸/长度: 2.9 mm
外形尺寸/宽度: 1.6 mm
外形尺寸/高度: 0.85 mm
外形尺寸/封装: TSOT-23-6
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Discontinued at Digi-Key
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTUD3170NZT5G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-963-6 |
ON SEMICONDUCTOR NTUD3170NZT5G. 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V, SOT-963
|
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