技术参数/容差: ±0.1 %
技术参数/额定功率: 125 mW
技术参数/电阻: 100 kΩ
技术参数/阻值偏差: ±0.1 %
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/额定电压: 200 V
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: Axial Leaded
外形尺寸/长度: 7.37 mm
外形尺寸/封装: Axial Leaded
物理参数/温度系数: ±50 ppm/℃
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 |
Res Metal Film 100KΩ 0.1% 0.1W(1/10W) ±50ppm/℃ Conformal AXL Thru-Hole T/R
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Vishay Dale (威世达勒) | 功能相似 |
Res Metal Film 100KΩ 0.1% 0.1W(1/10W) ±50ppm/℃ Conformal AXL Thru-Hole T/R
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Vishay Intertechnology | 功能相似 |
Resistor, Metal Film, 100KΩ, 200WV, .1+/-% Tol, -50, 50ppm-TC, RN55-MilStyle
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RN55C1003BRE6
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VISHAY (威世) | 功能相似 | Axial |
Resistor, Metal Film, 100KΩ, 200WV, .1+/-% Tol, -50, 50ppm-TC, RN55-MilStyle
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RN55C1003BRE6
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 |
Resistor, Metal Film, 100KΩ, 200WV, .1+/-% Tol, -50, 50ppm-TC, RN55-MilStyle
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RN55C1003FB14
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | Axial Leaded |
VISHAY RN55C1003FB14 金属膜电阻, 100KΩ, 100mW, 1%
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RN55C1003FB14
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Vishay Dale (威世达勒) | 类似代替 |
VISHAY RN55C1003FB14 金属膜电阻, 100KΩ, 100mW, 1%
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RN55C1003FB14
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VISHAY (威世) | 类似代替 | B14 |
VISHAY RN55C1003FB14 金属膜电阻, 100KΩ, 100mW, 1%
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