技术参数/通道数: 1
技术参数/漏源极电阻: 2.8 mΩ
技术参数/耗散功率: 3 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/漏源击穿电压: 30 V
技术参数/上升时间: 81 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 3130pF @15V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 3 W
技术参数/下降时间: 50 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 3W (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SMD-8
外形尺寸/封装: SMD-8
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
RS1E280GNTB
|
ROHM Semiconductor (罗姆半导体) | 功能相似 | HSOP-8 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.5 V
|
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