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技术参数/容差: ±0.1 %
技术参数/输入电压(DC): 5.20V ~ 18.0V
技术参数/输出电压: 5 V
技术参数/输出电流: 10 mA
技术参数/供电电流: 1.2 mA
技术参数/通道数: 1
技术参数/静态电流: 800 µA
技术参数/输入电压(Max): 18 V
技术参数/输出电压(Max): 5 V
技术参数/输出电压(Min): 5 V
技术参数/输出电流(Max): 10 mA
技术参数/工作温度(Max): 125 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
技术参数/精度: 0.05 %
技术参数/输入电压: 5.2V ~ 18V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/长度: 5 mm
外形尺寸/宽度: 4 mm
外形尺寸/高度: 1.5 mm
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 125℃
物理参数/温度系数: ±8 ppm/℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Each
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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REF5050AIDR
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TI (德州仪器) | 完全替代 | SOIC-8 |
低噪声，极低漂移，高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
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REF5050ID
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TI (德州仪器) | 完全替代 | SOIC-8 |
4V 至 10V ### 电压参考，Texas Instruments 精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑，并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
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Burr Brown | 完全替代 |
4V 至 10V ### 电压参考，Texas Instruments 精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑，并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
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