技术参数/通道数: 1
技术参数/漏源极电阻: 0.27 Ω
技术参数/极性: N
技术参数/耗散功率: 50 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 600 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 15A
技术参数/上升时间: 45 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1660pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 35 ns
技术参数/耗散功率(Max): 50W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Not Recommended
其他/包装方式: Bulk
其他/最小包装: 1000
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
R5016FNX
|
ROHM Semiconductor (罗姆半导体) | 类似代替 | TO-220-3 |
10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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