技术参数/极性: NPN
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/集电极最大允许电流: 100mA
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 30 @20mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 250 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: SOT-89
外形尺寸/封装: SOT-89
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Philips (飞利浦) | 类似代替 |
NPN电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧 NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SC-75 |
NPN电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧 NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ
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PDTC123EE,115
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-416 |
NXP PDTC123EE,115 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率, SOT-416
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