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型号： PDTB123TK
描述： PNP 500毫安， 50 V电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧， R2 =开放 PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open
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品 牌： NXP (恩智浦)
封 装： MPAK
货 期：
包装方式：
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技术参数/极性: PNP

技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V

技术参数/集电极最大允许电流: 500mA

封装参数/封装: MPAK

外形尺寸/封装: MPAK

其他/产品生命周期: Obsolete

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 NXP (恩智浦) 功能相似 SOT-23-3
Nexperia PDTB123ET,215 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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PDTB123ET,215 PDTB123ET,215 Nexperia (安世) 功能相似 SOT-23-3
Nexperia PDTB123ET,215 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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