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描述: MOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
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封 装: TO-263-4
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/耗散功率: 1.8W (Ta), 176W (Tc)

技术参数/漏源极电压(Vds): 40 V

技术参数/上升时间: 14 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 7050pF @25V(Vds)

技术参数/下降时间: 10 ns

技术参数/工作温度(Max): 175 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc)

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-263-4

外形尺寸/封装: TO-263-4

物理参数/工作温度: 175℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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