技术参数/电源电压(DC): 3.30 V, 3.60 V (max)
技术参数/工作电压: 3.30 V
技术参数/供电电流: 135 mA
技术参数/时钟频率: 143MHz (max)
技术参数/位数: 16
技术参数/存取时间: 133 µs
技术参数/内存容量: 256000000 B
技术参数/存取时间(Max): 5.4 ns
技术参数/工作温度(Max): 70 ℃
技术参数/工作温度(Min): 0 ℃
技术参数/电源电压: 3V ~ 3.6V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 54
封装参数/封装: VFBGA-54
外形尺寸/高度: 0.65 mm
外形尺寸/封装: VFBGA-54
物理参数/工作温度: 0℃ ~ 70℃ (TA)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tray
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IS42S16160D-6BLI
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Integrated Silicon Solution(ISSI) | 功能相似 | TFBGA-54 |
256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 Ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
|
||
IS42S16160D-7BLI
|
Integrated Silicon Solution(ISSI) | 功能相似 | TFBGA-54 |
RAM， ISSI **ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM
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