技术参数/钳位电压: 82.4 V
技术参数/最大反向电压（Vrrm）: 51V
技术参数/测试电流: 1 mA
技术参数/脉冲峰值功率: 3000 W
技术参数/最小反向击穿电压: 56.7 V
技术参数/击穿电压: 56.7 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: DO-214AB
外形尺寸/封装: DO-214AB
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bag
其他/制造应用: 通用
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准:
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MSMLJ51CAE3
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | DO-214AB-2 |
DO-214AB 51V 3000W
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Microchip (微芯) | 完全替代 | DO-214AB-2 |
DO-214AB 51V 3000W
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | DO-214AB |
Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 51V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMLJ, 2 PIN
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | DO-214AB |
DO-214AB 51V 3000W
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