技术参数/耗散功率: 233000 mW
技术参数/输出功率: 150 W
技术参数/增益: 14.0 dB
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 233000 mW
封装参数/安装方式: Flange
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: M-174
外形尺寸/高度: 7.11 mm
外形尺寸/封装: M-174
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
HF150-50F
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Advanced Semiconductor | 功能相似 |
RF Power Bipolar Transistor, 1Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, FM-4
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SD1726
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | M-174 |
射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS
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SD1726
|
ETC1 | 功能相似 |
射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS
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