技术参数/耗散功率: 270000 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 18 V
技术参数/增益: 13 dB
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 20 @5A, 5V
技术参数/额定功率(Max): 270 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 270000 mW
封装参数/安装方式: Screw
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: M-174
外形尺寸/高度: 7.11 mm
外形尺寸/封装: M-174
物理参数/工作温度: 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MRF492
|
Advanced Semiconductor | 功能相似 |
RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, FM-4
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|||
SD1405
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | M174 |
射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS
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|
SD1405
|
Qorvo | 功能相似 |
射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS
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|
SD1405
|
ETC1 | 功能相似 |
射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS
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