技术参数/频率: 1.03 GHz
技术参数/额定电流: 10 µA
技术参数/无卤素状态: Halogen Free
技术参数/输出功率: 275 W
技术参数/增益: 20.3 dB
技术参数/测试电流: 100 mA
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/额定电压: 100 V
封装参数/封装: NI-780
外形尺寸/长度: 20 mm
外形尺寸/宽度: 9.91 mm
外形尺寸/高度: 4.32 mm
外形尺寸/封装: NI-780
其他/产品生命周期: Obsolete
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MMRF1008HR5
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Freescale (飞思卡尔) | 类似代替 |
RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 960- 1215MHz 275W 50V
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MMRF1008HR5
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | NI-780H-2L |
RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 960- 1215MHz 275W 50V
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MRF6V12250HR5
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Freescale (飞思卡尔) | 完全替代 | NI-780 |
晶体管, 射频FET, 100 VDC, 960 MHz, 1215 MHz, NI-780
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MRF6V12250HSR5
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NXP (恩智浦) | 完全替代 | NI-780S |
RF Power Transistor,960 to 1215MHz, 275W, Typ Gain in dB is 20.3 @ 1030MHz, 50V, LDMOS, SOT1793
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