技术参数/耗散功率: 110 W
技术参数/输出功率: 30 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 55 V
技术参数/增益: 9.5 dB
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 20 @500mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 30 W
封装参数/安装方式: Chassis
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: 332A-03
外形尺寸/封装: 332A-03
物理参数/工作温度: 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tray
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MZ0912B50Y
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT443A |
RF Bipolar Transistors 960-1215MHz Gain 7dB NPN
|
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