技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 40 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @150mA, 10V
技术参数/额定功率(Max): 650 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 14
封装参数/封装: DIP-14
外形尺寸/封装: DIP-14
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MPQ2222
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Central Semiconductor | 功能相似 | DIP-14 |
TRANSISTOR 4 CHANNEL, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116, BIP General Purpose Power
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MPQ2222
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Major Brands | 功能相似 |
TRANSISTOR 4 CHANNEL, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116, BIP General Purpose Power
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MPQ3725
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Central Semiconductor | 功能相似 | DIP-14 |
TRANS 4NPN 40V 1A
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | DIP |
TRANS 4NPN 40V 1A
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MPQ3725
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 | DIP-14 |
TRANS 4NPN 40V 1A
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