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型号: MMFT960T1G
描述: 0.3A,60V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET
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封 装: TO-261-4
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/额定电压(DC): 60.0 V

技术参数/额定电流: 300 mA

技术参数/漏源极电阻: 1.7 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 0.8 W

技术参数/输入电容: 65pF @25V

技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V

技术参数/漏源击穿电压: 60 V

技术参数/栅源击穿电压: ±30.0 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 300 mA

技术参数/输入电容(Ciss): 65pF @25V(Vds)

技术参数/额定功率(Max): 800 mW

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -65 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 800mW (Ta)

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 4

封装参数/封装: TO-261-4

外形尺寸/长度: 6.7 mm

外形尺寸/高度: 1.65 mm

外形尺寸/封装: TO-261-4

物理参数/材质: Silicon

物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

海关信息/ECCN代码: EAR99

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