技术参数/额定电压(DC): 60.0 V
技术参数/额定电流: 300 mA
技术参数/漏源极电阻: 1.7 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 0.8 W
技术参数/输入电容: 65pF @25V
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/漏源击穿电压: 60 V
技术参数/栅源击穿电压: ±30.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 300 mA
技术参数/输入电容(Ciss): 65pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 800 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 800mW (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: TO-261-4
外形尺寸/长度: 6.7 mm
外形尺寸/高度: 1.65 mm
外形尺寸/封装: TO-261-4
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MMFT960T1
|
Motorola (摩托罗拉) | 类似代替 | TO-261-4 |
功率MOSFET 300毫安, 60伏 Power MOSFET 300 mA, 60 Volts
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||
MMFT960T1
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-261-4 |
功率MOSFET 300毫安, 60伏 Power MOSFET 300 mA, 60 Volts
|
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ZVN2106GTA
|
Diodes Zetex (捷特科) | 功能相似 | SOT-223 |
60V,710mA,2Ω,单N沟道功率MOSFET
|
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