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型号: MMBZ33VAL
描述: MMBZ 系列、低电容双路 ESD 保护二极管 单向双路静电放电 (ESD) 保护二极管,共阳极配置,采用 SOT23 (TO-236AB) 小型表面安装设备 (SMD) 塑料封装。 ### 瞬态电压抑制器,NXP
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封 装: TO-236
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包装方式: Cut Tape (CT)
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技术参数/工作电压: 900 mV

技术参数/针脚数: 3

技术参数/耗散功率: 360 mW

技术参数/钳位电压: 46 V

技术参数/测试电流: 1 mA

技术参数/最大反向击穿电压: 34.65 V

技术参数/脉冲峰值功率: 40 W

技术参数/最小反向击穿电压: 31.35 V

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-236

外形尺寸/长度: 3 mm

外形尺寸/宽度: 1.4 mm

外形尺寸/高度: 1.1 mm

外形尺寸/封装: TO-236

其他/产品生命周期: Unknown

其他/包装方式: Cut Tape (CT)

其他/制造应用: Portable Devices, Consumer Electronics, Automotive, Computers & Computer Peripherals, Imaging, Audio, Video & Vision

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
MMBZ33VALT1G MMBZ33VALT1G Motorola (摩托罗拉) 功能相似
ON SEMICONDUCTOR MMBZ33VALT1G TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 26 V, 46 V, SOT-23, 3 引脚

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