技术参数/漏源极电阻: 45 mΩ
技术参数/极性: N-CH
技术参数/耗散功率: -
技术参数/漏源极电压(Vds): 600 V
技术参数/漏源击穿电压: 600 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 50A
技术参数/输入电容(Ciss): 6800pF @100V(Vds)
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 9
封装参数/封装: ISOPLUS-SMPD-9
外形尺寸/长度: 25 mm
外形尺寸/宽度: 23 mm
外形尺寸/高度: 5.5 mm
外形尺寸/封装: ISOPLUS-SMPD-9
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tray
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IXKR47N60C5
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IXYS Semiconductor | 类似代替 | TO-247-3 |
IXKR 系列 单 N 沟道 600 V 45 mOhm 功率 MOSFET - ISOPLUS247
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MKE38RK600DFELB
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IXYS Semiconductor | 类似代替 | ISOPLUS-SMPD-9 |
N 通道功率 MOSFET，IXYS CoolMOS™ ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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