技术参数/额定电压(DC): -40.0 V
技术参数/额定电流: -4.00 A
技术参数/极性: PNP
技术参数/耗散功率: 40 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 40 V
技术参数/集电极最大允许电流: 4A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 40 @1A, 1V
技术参数/额定功率(Max): 40 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: TO-126-3
外形尺寸/长度: 7.74 mm
外形尺寸/宽度: 2.66 mm
外形尺寸/高度: 11.04 mm
外形尺寸/封装: TO-126-3
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Bulk
其他/最小包装: 500
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 |
Trans GP BJT PNP 40V 4A 3Pin TO-126 Box
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TI (德州仪器) | 功能相似 | 3 |
Trans GP BJT PNP 40V 4A 3Pin TO-126 Box
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MJE371
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 | TO-126-3 |
Trans GP BJT PNP 40V 4A 3Pin TO-126 Box
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Inchange Semiconductor | 功能相似 |
Trans GP BJT PNP 40V 4A 3Pin TO-126 Box
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MJE371
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-126-3 |
Trans GP BJT PNP 40V 4A 3Pin TO-126 Box
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MJE371
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Central Semiconductor | 功能相似 | TO-126 |
Trans GP BJT PNP 40V 4A 3Pin TO-126 Box
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Central Semiconductor | 功能相似 | TO-126 |
TO-126 PNP 40V 4A
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