技术参数/频率: 65 MHz
技术参数/额定电压(DC): 25.0 V
技术参数/额定电流: 5.00 A
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 15 W
技术参数/增益频宽积: 65 MHz
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 25 V
技术参数/集电极最大允许电流: 5A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 45 @2A, 1V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 180
技术参数/额定功率(Max): 15 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 15000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-126-3
外形尺寸/长度: 8 mm
外形尺寸/宽度: 3.25 mm
外形尺寸/高度: 11.2 mm
外形尺寸/封装: TO-126-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MJE200
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-225-3 |
功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
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MJE200
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 |
功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
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MJE200
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 |
功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
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|||
MJE200G
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onsemi | 类似代替 | TO-126 |
ON SEMICONDUCTOR MJE200G 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 65 MHz, 15 W, 5 A, 10 hFE 新
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||
MJE200G
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-126-3 |
ON SEMICONDUCTOR MJE200G 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 65 MHz, 15 W, 5 A, 10 hFE 新
|
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|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-126 |
Trans GP BJT NPN 25V 5A 3Pin(3+Tab) TO-126 Rail
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