技术参数/极性: NPN
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.5A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 1000 @350mA, 2V
技术参数/工作温度(Max): 85 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
技术参数/电源电压: 5 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 16
封装参数/封装: SOIC-16
外形尺寸/高度: 1.5 mm
外形尺寸/封装: SOIC-16
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MC1413BDR2G
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | SOIC-16 |
ON SEMICONDUCTOR MC1413BDR2G 晶体管阵列
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