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型号: IPP65R190E6
描述: 650V CoolMOSâ ?? ¢ E6功率晶体管 650V CoolMOS™ E6 Power Transistor
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封 装: TO-220-3
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包装方式: Tube
标准包装数: 1
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技术参数/通道数: 1

技术参数/漏源极电阻: 170 mΩ

技术参数/极性: N-CH

技术参数/耗散功率: 151 W

技术参数/阈值电压: 2.5 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 700 V

技术参数/漏源击穿电压: 650 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 20.8A

技术参数/上升时间: 11 ns

技术参数/下降时间: 10 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): 55 ℃

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/封装: TO-220-3

外形尺寸/长度: 10 mm

外形尺寸/宽度: 4.4 mm

外形尺寸/高度: 15.65 mm

外形尺寸/封装: TO-220-3

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tube

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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