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型号: IRFB23N15DPBF
描述: N沟道,150V,23A,90mΩ@10V
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封 装: TO-220-3
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包装方式: Rail, Tube
标准包装数: 1
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技术参数/额定电压(DC): 150 V

技术参数/额定电流: 23.0 A

技术参数/漏源极电阻: 0.09 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 136 W

技术参数/产品系列: IRFB23N15D

技术参数/阈值电压: 5.5 V

技术参数/输入电容: 1200pF @25V

技术参数/漏源极电压(Vds): 150 V

技术参数/漏源击穿电压: 150 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 23.0 A

技术参数/上升时间: 32.0 ns

技术参数/热阻: 1.1℃/W (RθJC)

技术参数/输入电容(Ciss): 1200pF @25V(Vds)

技术参数/额定功率(Max): 3.8 W

技术参数/工作温度(Max): 175 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-220-3

外形尺寸/长度: 10.54 mm

外形尺寸/高度: 15.24 mm

外形尺寸/封装: TO-220-3

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Rail, Tube

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

符合标准/REACH SVHC版本: 2014/12/17

海关信息/ECCN代码: EAR99

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
IRFB23N15D IRFB23N15D Infineon (英飞凌) 功能相似 TO-220
TO-220AB N-CH 150V 23A
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INFINEON IRFB23N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 5.5 V
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INFINEON IRFB4615PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 150 V, 32 mohm, 10 V, 3 V
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功率MOSFET Power MOSFET
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