技术参数/额定电压(DC): 200 V
技术参数/额定电流: 4.80 A
技术参数/漏源极电阻: 800 mΩ (max)
技术参数/输入电容: 260 pF
技术参数/漏源极电压(Vds): 200 V
技术参数/漏源击穿电压: 200V (min)
技术参数/连续漏极电流(Ids): 4.80 A
技术参数/上升时间: 22.0 ns
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: TO-252
外形尺寸/封装: TO-252
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR220PBF
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-252-3 |
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
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IRFR220PBF
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ETC | 功能相似 |
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
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IRFR220TRLPBF
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-252-3 |
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
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|
ETC | 功能相似 |
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
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IRFR220TRLPBF
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | TO-252-3 |
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
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IRFR220TRPBF
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-252-3 |
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | TO-252-3 |
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
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IRFR220TRPBF
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-252-3 |
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
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IRFR220TRPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-252-3 |
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
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IRFR220TRPBF
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ETC | 功能相似 |
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
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