技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @150mA, 10V
技术参数/额定功率(Max): 625 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-226-3
外形尺寸/宽度: 4.19 mm
外形尺寸/封装: TO-226-3
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | CASE 29-11 |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW Automotive 3Pin TO-92 Ammo
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW Automotive 3Pin TO-92 Ammo
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BC337-40
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | TO-92-3 |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW Automotive 3Pin TO-92 Ammo
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BC337-40
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Allied Components | 功能相似 |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW Automotive 3Pin TO-92 Ammo
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BC33725BU
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Rochester (罗切斯特) | 功能相似 | TO-92 |
ON Semiconductor BC33725BU , NPN 晶体管, 800mA, Vce=50 V, HFE:60, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装
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BC33725TA
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-226-3 |
ON Semiconductor BC33725TA , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装
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KSP2907ABU
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-226-3 |
PNP 晶体管，60 至 160V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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MPSA64
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-92-3 |
NTE ELECTRONICS MPSA64 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -30V, 125MHz, 1.5W, -300mA, 50 hFE
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