技术参数/电源电压(DC): 3.30 V, 3.60 V (max)
技术参数/时钟频率: 70.0 GHz
技术参数/位数: 16
技术参数/存取时间: 70.0 ns
技术参数/内存容量: 4000000 B
技术参数/存取时间(Max): 70 ns
技术参数/工作温度(Max): 85 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
技术参数/电源电压: 2.7V ~ 3.6V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 44
封装参数/封装: TSOP-44
外形尺寸/封装: TSOP-44
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 85℃ (TA)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
海关信息/ECCN代码: 3A991.b.2.a
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IS62WV25616BLL-55TLI
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Integrated Silicon Solution(ISSI) | 功能相似 | TSOP-44 |
RAM，ISSI **ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）
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