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型号: PMGD400UN115
描述: Trans MOSFET N-CH 30V 0.71A 6Pin TSSOP T/R
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包装方式: Cut Tape (CT)
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技术参数/极性: Dual N-Channel

技术参数/耗散功率: 410 mW

技术参数/漏源极电压(Vds): 30.0 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 710 mA

技术参数/上升时间: 7.5 ns

技术参数/下降时间: 4.5 ns

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 6

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃

其他/产品生命周期: Obsolete

其他/包装方式: Cut Tape (CT)

符合标准/RoHS标准: Non-Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

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