技术参数/极性: Dual N-Channel
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 125 mA
技术参数/上升时间: 7 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 18.5pF @5V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 200 mW
技术参数/下降时间: 7 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 200 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: SOT-323-6
外形尺寸/封装: SOT-323-6
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Nexperia (安世) | 完全替代 | SOT-363 |
NXP PMGD8000LN 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 125 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
|
||
PMGD8000LN,115
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-323-6 |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.125A 6Pin TSSOP T/R
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价