技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 280 mW
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 5.40 A
技术参数/上升时间: 7 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 350pF @30V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 2 W
技术参数/下降时间: 5.5 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 280 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 3 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PMV45EN,215
|
Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-23-3 |
N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
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||
PMV45EN,215
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23-3 |
N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
|
||
PMV45EN2
|
Nexperia (安世) | 类似代替 | 3 |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 3Pin TO-236AB
|
||
PMV45EN2
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-23 |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 3Pin TO-236AB
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||
PMV60EN,215
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-23-3 |
TO-236AB N-CH 30V 4.7A
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