技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 25 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 150 @1mA, 10V
技术参数/额定功率(Max): 625 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: TO-226-3
外形尺寸/宽度: 4.19 mm
外形尺寸/封装: TO-226-3
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PN3565
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-226-3 |
NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier
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PN3565
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Central Semiconductor | 类似代替 | TO-226-3 |
NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier
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