技术参数/耗散功率: 350 mW
技术参数/输入电容: 2pF (Max)
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 15 V
技术参数/增益: 15 dB
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 20 @3mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 350 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 350 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-226-3
外形尺寸/封装: TO-226-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PN918
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-226-3 |
NPN晶体管RF NPN RF Transistor
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PN918
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-226-3 |
NPN晶体管RF NPN RF Transistor
|
||
PN918
|
ROHM Semiconductor (罗姆半导体) | 功能相似 | TO-92 |
NPN晶体管RF NPN RF Transistor
|
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