技术参数/正向电压: 1.3V @1A
技术参数/反向恢复时间: 500 ns
技术参数/正向电压(Max): 1.3V @1A
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: DO-41
外形尺寸/长度: 5.2 mm
外形尺寸/宽度: 2.7 mm
外形尺寸/高度: 2.7 mm
外形尺寸/封装: DO-41
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Micro Commercial Components (美微科) | 功能相似 | DO-41 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RGP10M 标准功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.3 V, 500 ns, 30 A
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First Components International | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RGP10M 标准功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.3 V, 500 ns, 30 A
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Unspecified | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RGP10M 标准功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.3 V, 500 ns, 30 A
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EIC | 功能相似 | DO-41 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RGP10M 标准功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.3 V, 500 ns, 30 A
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | DO-41 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RGP10M 标准功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.3 V, 500 ns, 30 A
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Zowie Technology (智威) | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RGP10M 标准功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.3 V, 500 ns, 30 A
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RGP10M
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Leshan Radio (乐山无线电) | 功能相似 | DO-41 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RGP10M 标准功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.3 V, 500 ns, 30 A
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Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RGP10M 标准功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.3 V, 500 ns, 30 A
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Luguang Electronic | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RGP10M 标准功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.3 V, 500 ns, 30 A
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RGP10M
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | DO-41 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RGP10M 标准功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.3 V, 500 ns, 30 A
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Rochester (罗切斯特) | 功能相似 | DO-41 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RGP10M 标准功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.3 V, 500 ns, 30 A
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SynSemi | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RGP10M 标准功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.3 V, 500 ns, 30 A
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RGP10M
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | DO-204AL |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RGP10M 标准功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.3 V, 500 ns, 30 A
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Taitron | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RGP10M 标准功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.3 V, 500 ns, 30 A
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RGP10M-E3/54
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VISHAY (威世) | 功能相似 | DO-204AL |
VISHAY RGP10M-E3/54 Fast / Ultrafast Diode, 1kV, 1A, Single, 1.3V, 500ns, 30A
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