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型号: PSMN016-100YS
描述: NXP PSMN016-100YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 100 V, 12.7 mohm, 10 V, 3 V
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封 装: SOT-669
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包装方式: Cut Tape (CT)
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技术参数/针脚数: 4

技术参数/漏源极电阻: 0.0127 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 117 W

技术参数/阈值电压: 3 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 51A

技术参数/输入电容(Ciss): 2744pF @50V(Vds)

技术参数/工作温度(Max): 175 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 117 W

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 4

封装参数/封装: SOT-669

外形尺寸/长度: 5 mm

外形尺寸/宽度: 4.1 mm

外形尺寸/高度: 1.1 mm

外形尺寸/封装: SOT-669

其他/产品生命周期: Unknown

其他/包装方式: Cut Tape (CT)

其他/制造应用: 电源管理, 工业, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, 电机驱动与控制

符合标准/RoHS标准: Exempt

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17

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