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型号： IRLHS2242TRPBF

描述： INFINEON IRLHS2242TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -7.2 A, -20 V, 25 mohm, -4.5 V, -800 mV

品牌： Infineon (英飞凌)

封装： PQFN-6

货期：

包装方式： Tape & Reel (TR)

标准包装数： 1

10+:

￥ 1.2758

50+:

￥ 1.2096

100+:

￥ 1.1624

300+:

￥ 1.1340

500+:

￥ 1.1057

1000+:

￥ 1.0773

2500+:

￥ 1.0348

5000+:

￥ 1.0253

价格	￥ 1.2758	￥ 1.2096	￥ 1.1624	￥ 1.1340	￥ 1.1057
起批量	10+	50+	100+	300+	500+

运费：有货运费价格：¥13.00

数量：

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规格参数
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技术参数/额定功率: 2.1 W

技术参数/通道数: 1

技术参数/针脚数: 6

技术参数/漏源极电阻: 0.025 Ω

技术参数/极性: P-Channel

技术参数/耗散功率: 2.1 W

技术参数/输入电容: 877 pF

技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V

技术参数/漏源击穿电压: 20 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 7.2A

技术参数/上升时间: 54 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 877pF @10V(Vds)

技术参数/下降时间: 66 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc)

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 6

封装参数/封装: PQFN-6

外形尺寸/长度: 2.1 mm

外形尺寸/宽度: 2 mm

外形尺寸/高度: 0.9 mm

外形尺寸/封装: PQFN-6

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

其他/制造应用: Load Switch, DC Switches, Battery Protection, Load Switch Low Side, 电源管理, Power Management, Load Switch High Side

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17

替代料

型号	品牌	相似度	封装	简介	数据手册
SIA413DJ-T1-GE3	Vishay Semiconductor (威世)	功能相似	SC-70	VISHAY SIA413DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -12 V, 0.024 ohm, -4.5 V, -1 V	PDF
SIA413DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	功能相似	SC-70-6	VISHAY SIA413DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -12 V, 0.024 ohm, -4.5 V, -1 V	PDF
SIA413DJ-T1-GE3	VISHAY (威世)	功能相似	SC-70-6	VISHAY SIA413DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -12 V, 0.024 ohm, -4.5 V, -1 V	PDF