技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 236 mW
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 960 mA
技术参数/输入电容(Ciss): 315pF @15V(Vds)
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 236mW (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: SC-89-6
外形尺寸/封装: SC-89-6
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI1067X-T1-GE3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 |
MOSFET 20V 1.06A 0.0236W 150mohms @ 4.5V
|
|||
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SC-89-6 |
MOSFET 30V 0.98A 0.236W 173mohms @ 10V
|
||
SI1073X-T1-GE3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | 6 |
MOSFET 30V 0.98A 0.236W 173mohms @ 10V
|
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