技术参数/极性: P-CH
技术参数/漏源极电压(Vds): 12 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 1.18A
技术参数/上升时间: 27 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 480pF @6V(Vds)
技术参数/下降时间: 27 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 236mW (Ta)
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: SC-89-6
外形尺寸/封装: SC-89-6
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI1065X-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | SC-89 |
MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
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SI1065X-T1-E3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | SC-89-6 |
MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
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