技术参数/漏源极电阻: 65 mΩ
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 2 W
技术参数/产品系列: SI3443DV
技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -4.40 A
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: TSOP-6
外形尺寸/封装: TSOP-6
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2014/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTGS3443T1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-6 |
ON SEMICONDUCTOR NTGS3443T1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.1 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -950 mV
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