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型号： SI3552DV-T1-GE3
描述： VISHAY SI3552DV-T1-GE3 晶体管, 双N&P沟道
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品 牌： Vishay Semiconductor (威世)
封 装： TSOP
货 期：
包装方式： Tape & Reel (TR)
标准包装数： 1
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5+:
￥ 2.9714
25+:
￥ 2.7513
50+:
￥ 2.5972
100+:
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500+:
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技术参数/针脚数: 6

技术参数/漏源极电阻: 0.085 Ω

技术参数/极性: N-Channel, P-Channel

技术参数/耗散功率: 1.15 W

技术参数/阈值电压: 1 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 6

封装参数/封装: TSOP

外形尺寸/封装: TSOP

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
SI3552DV-T1-E3 SI3552DV-T1-E3 Vishay Intertechnology 完全替代 TSOP-6
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