技术参数/漏源极电阻: 3.50 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 1.60 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V
技术参数/漏源击穿电压: 20.0 V
技术参数/栅源击穿电压: ±8.00 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 25.0 A
技术参数/上升时间: 44 ns
技术参数/额定功率(Max): 1.6 W
技术参数/下降时间: 72 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 3500 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/最小包装: 2500
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI4864DY
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SO |
MOSFET 20V 25A 3.5W
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SI4864DY
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Visay | 功能相似 |
MOSFET 20V 25A 3.5W
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SI4864DY
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Vishay Siliconix | 功能相似 | SO |
MOSFET 20V 25A 3.5W
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SI4864DY-T1
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 17A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
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