技术参数/漏源极电阻: 36.0 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 1.10 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 40 V
技术参数/漏源击穿电压: 40.0 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 4.20 A
技术参数/额定功率(Max): 1.1 W
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: SO
外形尺寸/封装: SO
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI4940DY
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SO |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
|
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