技术参数/漏源极电阻: 0.085 Ω
技术参数/极性: Dual N-Channel
技术参数/耗散功率: 1.1 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/漏源击穿电压: 30 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 2.90 A
技术参数/热阻: 90℃/W (RθJA)
技术参数/额定功率(Max): 1.1 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SMD-8
外形尺寸/长度: 3.1 mm
外形尺寸/高度: 1.1 mm
外形尺寸/封装: SMD-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI5902BDC-T1-GE3
|
VISHAY (威世) | 类似代替 | SMD-8 |
SI5902BDC-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 3.7A, 30V, 8Pin 1206 ChipFET
|
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SI5902BDC-T1-GE3
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | SMD-8 |
SI5902BDC-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 3.7A, 30V, 8Pin 1206 ChipFET
|
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SI5902DC-T1
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | CHIP |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 1206-8, CHIPFET-8
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