技术参数/钳位电压: 12.9 V
技术参数/最大反向电压（Vrrm）: 7.5V
技术参数/测试电流: 1 mA
技术参数/最大反向击穿电压: 8.33V-9.21V
技术参数/脉冲峰值功率: 600 W
技术参数/最小反向击穿电压: 8.33 V
技术参数/击穿电压: 8.33 V
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/工作结温: -55℃ ~ 150℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: DO-214AA
外形尺寸/长度: 4.57 mm
外形尺寸/宽度: 3.94 mm
外形尺寸/高度: 2.24 mm
外形尺寸/封装: DO-214AA
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/最小包装: 750
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
CD214B-T7.5A
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Bourns J.W. Miller (伯恩斯) | 功能相似 | SMB |
CD214B瞬态电压抑制二极管系列 CD214B Transient Voltage Suppressor Diode Series
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SMBJ7.5A-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | SMB |
TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 600W，SMBJ 系列，Vishay Semiconductor ### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor
|
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SMBJ7.5AHE3/52
|
VISHAY (威世) | 完全替代 | DO-214AA |
ESD 抑制器/TVS 二极管 7.5V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol
|
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SMBJ7.5AHE3/52
|
Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | DO-214AA-2 |
ESD 抑制器/TVS 二极管 7.5V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol
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