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技术参数/电源电压(DC): 4.75V (min)
技术参数/上升/下降时间: 5ns, 7ns
技术参数/输出接口数: 2
技术参数/输出电压: 30 V
技术参数/输出电流: 300 mA
技术参数/供电电流: 71 mA
技术参数/耗散功率: 725 mW
技术参数/驱动器/包: 2
技术参数/输入电压(Max): 5.5 V
技术参数/工作温度(Max): 70 ℃
技术参数/工作温度(Min): 0 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 725 mW
技术参数/电源电压: 4.75V ~ 5.25V
技术参数/电源电压(Max): 5.25 V
技术参数/电源电压(Min): 4.75 V
技术参数/输入电压: 5.5 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: 0℃ ~ 70℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SN75452BD
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National Semiconductor (美国国家半导体) | 完全替代 | 8 |
TEXAS INSTRUMENTS SN75452BD 芯片, 外设驱动器
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SN75452BDE4
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TI (德州仪器) | 类似代替 | SOIC-8 |
DUAL外设驱动程序 DUAL PERIPHERAL DRIVERS
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SN75452BDR
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TI (德州仪器) | 完全替代 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS SN75452BDR 芯片, 周边驱动器, 双路, 5.25V, 0.3A, SOIC-8
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