技术参数/电源电压(DC): 2.70V (min)
技术参数/工作电压: 2.7V ~ 3.6V
技术参数/针脚数: 8
技术参数/时钟频率: 80 MHz
技术参数/存取时间: 80 ns
技术参数/内存容量: 500000 B
技术参数/工作温度(Max): 85 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
技术参数/电源电压: 2.7V ~ 3.6V
技术参数/电源电压(Max): 3.6 V
技术参数/电源电压(Min): 2.7 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/长度: 5.4 mm
外形尺寸/高度: 1.91 mm
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 85℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Each
其他/制造应用: 工业, Industrial
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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ETC2 | 功能相似 |
Adesto ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
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SST25VF040B-50-4I-SAF
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Microchip (微芯) | 类似代替 | SOIC-8 |
SST25VF040B 串行 SPI SuperFlash® 存储器 ### 闪存，Microchip
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SST25VF040B-80-4I-SAE
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Silicon Strorage Technology | 完全替代 | SOIC8 |
MICROCHIP SST25VF040B-80-4I-SAE 闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 80 MHz, 串行, SPI, SOIC, 8 引脚
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SST25VF040B-80-4I-SAE
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Microchip (微芯) | 完全替代 | SOIC-8 |
MICROCHIP SST25VF040B-80-4I-SAE 闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 80 MHz, 串行, SPI, SOIC, 8 引脚
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SST25VF040B-80-4I-SAE
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Silicon Storage Tech | 完全替代 | SOIC |
MICROCHIP SST25VF040B-80-4I-SAE 闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 80 MHz, 串行, SPI, SOIC, 8 引脚
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