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型号： STP6N65M2

描述： STMICROELECTRONICS STP6N65M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V

品牌： ST Microelectronics (意法半导体)

封装： TO-220-3

货期：

包装方式： Tube

标准包装数： 1

5+:

￥ 6.7487

25+:

￥ 6.2488

50+:

￥ 5.8988

100+:

￥ 5.7489

500+:

￥ 5.6489

2500+:

￥ 5.5239

5000+:

￥ 5.4739

10000+:

￥ 5.3989

价格	￥ 6.7487	￥ 6.2488	￥ 5.8988	￥ 5.7489	￥ 5.6489
起批量	5+	25+	50+	100+	500+

运费：有货运费价格：¥13.00

数量：

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技术参数/针脚数: 3

技术参数/漏源极电阻: 1.2 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 60 W

技术参数/阈值电压: 3 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 650 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 4A

技术参数/上升时间: 7 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 226pF @100V(Vds)

技术参数/下降时间: 20 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 60W (Tc)

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-220-3

外形尺寸/封装: TO-220-3

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tube

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: 无铅

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17

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