芯片AI顾问
技术参数/供电电流: 425 µA
技术参数/电路数: 2
技术参数/通道数: 2
技术参数/耗散功率: 725 mW
技术参数/共模抑制比: 70 dB
技术参数/输入补偿漂移: 2.00 µV/K
技术参数/带宽: 820 kHz
技术参数/转换速率: 550 mV/μs
技术参数/增益频宽积: 710 kHz
技术参数/过温保护: No
技术参数/输入补偿电压: 300 µV
技术参数/输入偏置电流: 1 pA
技术参数/工作温度(Max): 125 ℃
技术参数/工作温度(Min): 40 ℃
技术参数/电源电压(Max): 16 V
技术参数/电源电压(Min): 4.4 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/长度: 4.9 mm
外形尺寸/宽度: 3.91 mm
外形尺寸/高度: 1.58 mm
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 125℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube, Rail
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
TLC2262QD
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TI (德州仪器) | 类似代替 | SOIC-8 |
高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS
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